サポート金年会官方登录FAQ金年会官方登录C63LVDF(R)84Bと金年会官方登录C63LVDF(R)84Cの互換性
電気的特性LVDS
金年会官方登录C63LVDF(R)84Bと金年会官方登录C63LVDF(R)84Cはピンコンパチブルですが、下記の点で異なります。
金年会官方登录C63LVDF(R)84B 金年会官方登录C63LVDF(R)84C
動作周囲温度 -10 - 70℃ -40 - 85℃
動作電圧 2.5 - 3.6V 3.0 - 3.6V
動作周波数 15 - 85MHz 8 - 112MHz
消費電流
Gray s金年会官方登录le pattern時 Typ. 41mA Typ. 55mA
Warst 金年会官方登录se pattern時 Typ. 72mA Typ. 90mA
パワーダウン時 Max. 10uA Max. 500uA
LVCMOS出力
CLKOUTドライブ能力 4mA 8mA
CLKOUT Duty ”H”時間(ns) Typ. 4*T/7 Typ. T/2
CLKOUT Duty "L"時間(ns) Typ. 3*T/7 Typ. T/2
データセットアップ時間(ns) Min. 0.35*T-0.3 Min. 4*T/7-1
データホールド時間(ns) Min. 0.45*T-1.6 Min. 3*T/7-1
入出力遅延時間(ns) Typ. 5T/7 Typ. (3/14+3)*T
LVDS 入力におけるクロック・データ間のスキュー許容時間(tSK)については前提となる
動作周波数が異なるため、データシートに記載された値が異なります。
ただし動作周波数85MHzにおける入力スキュー許容時間は共に±0.4nsで同等です。
金年会官方登录C63LVDF(R)84Bから金年会官方登录C63LVDF(R)84Cへ置き換えは殆どの場合問題ありませんが、
金年会官方登录C63LVDF(R)84CではLVCMOS出力のドライブ能力が向上しているため不要輻射が増加
する場合がありますのでご注意ください。
金年会官方登录C63LVDF(R)84B 金年会官方登录C63LVDF(R)84C
動作周囲温度 -10 - 70℃ -40 - 85℃
動作電圧 2.5 - 3.6V 3.0 - 3.6V
動作周波数 15 - 85MHz 8 - 112MHz
消費電流
Gray s金年会官方登录le pattern時 Typ. 41mA Typ. 55mA
Warst 金年会官方登录se pattern時 Typ. 72mA Typ. 90mA
パワーダウン時 Max. 10uA Max. 500uA
LVCMOS出力
CLKOUTドライブ能力 4mA 8mA
CLKOUT Duty ”H”時間(ns) Typ. 4*T/7 Typ. T/2
CLKOUT Duty "L"時間(ns) Typ. 3*T/7 Typ. T/2
データセットアップ時間(ns) Min. 0.35*T-0.3 Min. 4*T/7-1
データホールド時間(ns) Min. 0.45*T-1.6 Min. 3*T/7-1
入出力遅延時間(ns) Typ. 5T/7 Typ. (3/14+3)*T
LVDS 入力におけるクロック・データ間のスキュー許容時間(tSK)については前提となる
動作周波数が異なるため、データシートに記載された値が異なります。
ただし動作周波数85MHzにおける入力スキュー許容時間は共に±0.4nsで同等です。
金年会官方登录C63LVDF(R)84Bから金年会官方登录C63LVDF(R)84Cへ置き換えは殆どの場合問題ありませんが、
金年会官方登录C63LVDF(R)84CではLVCMOS出力のドライブ能力が向上しているため不要輻射が増加
する場合がありますのでご注意ください。
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